| 부품 번호 | TK33S10N1Z,LQ |
|---|---|
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V 33A DPAK |
| 데이터시트 | |
| 패키지 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| 재고 | 35,160 piece(s) |
| 단가 | Request a Quote |
| 리드 타임 | 즉시 배송 가능 |
| 예상 배달 시간 | 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택) |
| 견적 요청 |
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| 지불 방법 | |
| 배달 서비스 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 범주 | 이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
| 패키지 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| 계열 | U-MOSVIII-H |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 33A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 500µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2050pF @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 125W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 16.5A, 10V |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | DPAK+ |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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1206Y0250271GCT | Knowles Syfer, CAP CER 1206, 1206 (3216 Metric), U-MOSVIII-H | 전망 |
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FG20X7R1C156MRT00 | TDK Corporation, CAP CERAMIC COMM RADIAL, Radial, U-MOSVIII-H | 전망 |
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0805Y0160121KCT | Knowles Syfer, CAP CER 120PF 16V C0G/NP0 0805, 0805 (2012 Metric), U-MOSVIII-H | 전망 |
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826ALG063MGBJ | Illinois Capacitor, CAP ALUM POLY 82UF 20% 63V T/H, Radial, Can, U-MOSVIII-H | 전망 |
 
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BYG10K-E3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division, DIODE AVALANCHE 800V 1.5A, DO-214AC, SMA, U-MOSVIII-H | 전망 |
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CNX_310_012_E_4_1_06 | Visual Communications Company - VCC, 0.50W CABLE ASSY, -, U-MOSVIII-H | 전망 |
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1241.2874.3 | Schurter Inc., SWITCH PUSH SPST-NO 125MA 48V, -, U-MOSVIII-H | 전망 |
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HTB 100-TP | LEM USA Inc., SENSOR CURRENT HALL 100A AC/DC, Module, Single Pass Through, U-MOSVIII-H | 전망 |
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2946395 | Phoenix Contact, RELAY GEN PURPOSE, -, U-MOSVIII-H | 전망 |
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RNCF2010BTE4K32 | Stackpole Electronics Inc., RES SMD 4.32K OHM 0.1% 1/3W 2010, 2010 (5025 Metric), U-MOSVIII-H | 전망 |
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CRM2010-FX-R200ELF | Bourns Inc., RES SMD 0.2 OHM 1% 1W 2010, 2010 (5025 Metric), U-MOSVIII-H | 전망 |
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TVS06RF-17-6JD-LC | Amphenol Aerospace Operations, CONN PLUG HSNG FMALE 6POS INLINE, -, U-MOSVIII-H | 전망 |
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| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
TK33S10N1Z,LQ D# V72:2272_13896483 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R RoHS: Compliant
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
TK33S10N1Z,LQ D# TK33S10N1Z,LQ |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin DPAK - Tape and Reel (Alt: TK33S10N1Z,LQ) RoHS: Compliant
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
TK33S10N1Z,LQ(O D# TK33S10N1Z,LQ(O |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin DPAK (Alt: TK33S10N1Z,LQ(O) RoHS: Compliant
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
TK33S10N1Z,LQ D# TK33S10N1ZLQCT-ND |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK |
1565 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
TK33S10N1ZLQ |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
14280 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
TK33S10N1Z,LQ D# 757-TK33S10N1ZLQ |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK RoHS: Compliant
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299 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
TK33S10N1Z,LQ D# 10AH1288 |
Toshiba America Electronic Components |
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ MOQ=2000 PD=35W F=1MHZ ROHS COMPLIANT: YES RoHS: Compliant
Min Qty: 2000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
TK33S10N1ZLQ |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
21467 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
TK33S10N1Z,LQ |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK pbFree: Pb-Free
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0 |
TK33S10N1ZLQ |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET MOSFET TRAN DPAK 35W /1MHZ pbFree: Pb-Free
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
TK33S10N1Z,LQ D# 52846325 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R RoHS: Compliant
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Heisener의 품질에 대한 약속은 소싱, 테스트, 선적 및 그 사이의 모든 단계에 대한 프로세스를 형성했습니다. 이 기초는 우리가 판매하는 각 구성 요소의 근간을 이루고 있습니다.
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