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SQ2361EES-T1-GE3

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SQ2361EES-T1-GE3

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부품 번호 SQ2361EES-T1-GE3
제조업체 Vishay Siliconix
설명 MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23
데이터시트

SQ2361EES-T1-GE3 데이터시트

패키지 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 상태 102,502 piece(s)
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SQ2361EES-T1-GE3사양

제조업체Vishay Siliconix
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
계열TrenchFET?
FET 유형P-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds545pF @ 30V
Vgs (최대)±20V
FET 기능-
전력 발산 (최대)2W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs150 mOhm @ 2.4A, 10V
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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