| 부품 번호 | SIHF30N60E-GE3 |
|---|---|
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 설명 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220 |
| 데이터시트 | |
| 패키지 | TO-220-3 Full Pack |
| ECAD |
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| 재고 | 14,526 piece(s) |
| 단가 | Request a Quote |
| 리드 타임 | 확인하려면 |
| 예상 배달 시간 | 12월 19 - 12월 24 (신속 배송 선택) |
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| 지불 방법 | |
| 배달 서비스 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 범주 | 이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
| 패키지 | TO-220-3 Full Pack |
| ECAD |
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| 계열 | E |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 29A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2600pF @ 100V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 37W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 15A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-220 Full Pack |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
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DSC1001CE1-033.8688 | Microchip Technology, OSC MEMS 33.8688MHZ CMOS SMD, 4-SMD, No Lead, E | 전망 |
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2225J1000100KCT | Knowles Syfer, CAP CER 2225, -, E | 전망 |
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SN74LVC2G86YEAR | Texas Instruments, IC GATE XOR 2CH 2-INP 8-DSBGA, 8-XFBGA, DSBGA, E | 전망 |
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NTVB300SC-L | ON Semiconductor, THYRISTOR 300V 100A SMB, DO-214AA, SMB, E | 전망 |
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H3LIS100DL | STMicroelectronics, ACCELEROMETER 100G I2C/SPI 16LGA, -, E | 전망 |
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7201-12-1001 | Coto Technology, RELAY REED SPST 1A 12V, -, E | 전망 |
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T38158-21-0 | Curtis Industries, CONN BARRIER STRP 21CIRC 0.375", -, E | 전망 |
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SLW-132-01-T-S | Samtec Inc., CONN RCPT .100" 32POS SNGL TIN, -, E | 전망 |
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FTM-150-02-F-SV | Samtec Inc., 1MM MICRO STRIPS, -, E | 전망 |
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9-146278-0-39 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN HDR BRKWAY .100 39POS VERT, -, E | 전망 |
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KJG6T10B99SN21 | ITT Cannon, LLC, CIRCULAR, -, E | 전망 |
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GBC40DRAS | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 80POS 0.100, -, E | 전망 |
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| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHF30N60E-GE3 D# V36:1790_09218766 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP RoHS: Compliant
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHF30N60E-GE3 D# SIHF30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin TO-220FP - Tape and Reel (Alt: SIHF30N60E-GE3) |
0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHF30N60E-GE3 D# SIHF30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin TO-220FP (Alt: SIHF30N60E-GE3) |
0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHF30N60E-GE3 D# SIHF30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin TO-220FP (Alt: SIHF30N60E-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHF30N60E-GE3 |
Vishay Semiconductors |
- Rail/Tube |
2000 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHF30N60EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB RoHS: Compliant
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHF30N60E-GE3 D# SIHF30N60E-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 29A TO220 |
817 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHF30N60E-GE3 D# 2364079 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-220FP RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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358 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHF30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHF30N60EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
32130 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHF30N60E-GE3 D# 78-SIHF30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK RoHS: Compliant
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994 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHF30N60E-GE3 D# 9034490 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP Vishay SiHF30N60E-GE3, PK Min Qty: 2
Container: Package
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362 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHF30N60EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
1016 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHF30N60E-E3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK pbFree: Pb-Free
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0 |
SIHF30N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK pbFree: Pb-Free
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0 |
Heisener의 품질에 대한 약속은 소싱, 테스트, 선적 및 그 사이의 모든 단계에 대한 프로세스를 형성했습니다. 이 기초는 우리가 판매하는 각 구성 요소의 근간을 이루고 있습니다.
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