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| 부품 번호 | SI4946BEY-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC |
| 데이터시트 | |
| 패키지 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| 재고 | 14,088 piece(s) |
| 단가 | Request a Quote |
| 리드 타임 | 즉시 배송 가능 |
| 예상 배달 시간 | 11월 18 - 11월 23 (신속 배송 선택) |
| 견적 요청 |
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| 지불 방법 | |
| 배달 서비스 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 범주 | 이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 |
| 패키지 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
|
| 계열 | TrenchFET? |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 5.3A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 840pF @ 30V |
| 전력 - 최대 | 3.7W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급 업체 장치 패키지 | 8-SO |
|
SIT1602BC-73-30S-30.000000G | SiTime, -20 TO 70C, 2016, 50PPM, 3.0V, 3, -, TrenchFET? | 전망 |
|
SIT8008BC-83-33E-48.000000Y | SiTime, OSC MEMS 48.0000MHZ LVCMOS SMD, 4-SMD, No Lead, TrenchFET? | 전망 |
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1808Y1K00273JXT | Knowles Syfer, CAP CER 0.027UF 1KV X7R 1808, 1808 (4520 Metric), TrenchFET? | 전망 |
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Z84C0006VEC00TR | Zilog, IC MPU Z80 6MHZ 44PLCC, 44-LCC (J-Lead), TrenchFET? | 전망 |
|
5-1170-1 | 3M (TC), TAPE ALUM FOIL 25.4MM CIRC 5/PK, -, TrenchFET? | 전망 |
|
RNC55H1622FMBSL | Vishay Dale, RES 16.2K OHM 1/8W 1% AXIAL, Axial, TrenchFET? | 전망 |
|
TNPW2010442RBEEF | Vishay Dale, RES SMD 442 OHM 0.1% 0.4W 2010, 2010 (5025 Metric), TrenchFET? | 전망 |
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3386X-1-500TLF | Bourns Inc., TRIMMER 50 OHM 0.5W PC PIN, -, TrenchFET? | 전망 |
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66956-031 | Amphenol FCI, CONN RCPT 62POS T/H GOLD, -, TrenchFET? | 전망 |
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DW-50-14-F-S-1175 | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, TrenchFET? | 전망 |
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LFA150F-15-CR2Y | Cosel USA, Inc., AC/DC PS (OPEN FRAME), -, TrenchFET? | 전망 |
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VE-26P-IV-F3 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 150W, Full Brick, TrenchFET? | 전망 |
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| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 D# 70459552 |
Vishay Siliconix |
SI4946BEY-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 6.5 A, 60 V, 8-Pin SOIC RoHS: Not Compliant
|
0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 D# E02:0323_00530071 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 D# 01AC4998 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 01AC4998) |
0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 D# SI4946BEY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SI4946BEY-T1-GE3) |
0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
2500 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
DualN-Channel -60V 6.5A 3V @ 250uA 41mohms @ 5.3A,10V 2.4W SOIC-8_150mil MOSFET RoHS |
1746 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 D# SI4946BEY-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC |
5376 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
19433 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 D# 2646385RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 6.5A, SOIC RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Reel
|
0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SLNSI4946BEYT1GE3 |
VISHAY INTERTECHNOLOGY IN |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
62 |
SI4946BEYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
93415 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 D# C83862 |
Vishay Intertechnologies | 4246 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 2 N-CHANNEL 60VOLT 6.5AAMP 3.7WATT 8-SOIC |
0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
98554 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 D# 781-SI4946BEY-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V RoHS: Compliant
|
4046 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 D# XSKDRABV0026493 |
Vishay Intertechnologies | 48500 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 D# 05AC9499 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 6.5A, SOIC, Transistor Polarity:Dual N Channel, Continuous Drain Current Id:6.5A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.033ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.4V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
|
2500 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 D# NS-SI4946BEY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
10046 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 D# 7879027P |
Vishay Intertechnologies |
Dual N-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4946BEY-T1-GE3, RL Min Qty: 5
Container: Reel
|
1670 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 D# TMOSP9546 |
Vishay Intertechnologies |
Dual N-CH 60V 6,5A 33mOhm SO-8 RoHS: Compliant
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SLNSI4946BEYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
68 |
SI4946BEYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
68516 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
98539 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3. |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V pbFree: Pb-Free
|
0 |
SI4946BEY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V pbFree: Pb-Free
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
3009 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 D# 53714134 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC |
3427 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4946BEY-T1-GE3 D# 2646385 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 6.5A, SOIC RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
1172 |
Heisener의 품질에 대한 약속은 소싱, 테스트, 선적 및 그 사이의 모든 단계에 대한 프로세스를 형성했습니다. 이 기초는 우리가 판매하는 각 구성 요소의 근간을 이루고 있습니다.
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