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SI4477DY-T1-GE3

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SI4477DY-T1-GE3

참조 용으로 만 사용

부품 번호 SI4477DY-T1-GE3
제조업체 Vishay Siliconix
설명 MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
데이터시트

SI4477DY-T1-GE3 데이터시트

패키지 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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SI4477DY-T1-GE3사양

제조업체Vishay Siliconix
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
계열TrenchFET?
FET 유형P-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)26.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs190nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4600pF @ 10V
Vgs (최대)±12V
FET 기능-
전력 발산 (최대)3W (Ta), 6.6W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.2 mOhm @ 18A, 4.5V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지8-SO
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4477DY-T1-GE3는 데이터 시트

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SI4477DY-T1-GE3 FAQ

  • 1. How to order SI4477DY-T1-GE3 on Heisener?
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4477DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI4477DY-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI4477DY-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI4477DY-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI4477DY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4477DY-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# 70459540

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

RoHS: Not Compliant
0
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D# E02:0323_00529673

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R

0
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D# 35R6238

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin SOIC N T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 35R6238)

RoHS: Compliant
0
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D# SI4477DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4477DY-T1-GE3)

RoHS: Compliant
0
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Vishay Intertechnologies

1675
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SI4477DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET,P CH,20V,26.6A,8-SOIC

144
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SI4477DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

P-Channel -20V 26.6A 1.5V @ 250uA 6.2mohms @ 18A,4.5V 3W SOIC-8_150mil MOSFET RoHS

2304
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SI4477DY-T1-GE3

D# SI4477DY-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO

1118
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI4477DY-T1-GE3

D# 1852575

Vishay Intertechnologies

MOSFET,P CH,20V,26.6A,8-SOIC

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
2716
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Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
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SI4477DYT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

29750
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D# C87947

Vishay Intertechnologies

2304
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SI4477DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

180000
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SI4477DY-T1-GE3

D# 781-SI4477DY-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8

RoHS: Compliant
1507
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SI4477DY-T1-GE3

D# 35R6238

Vishay Intertechnologies

P CHANNEL MOSFET, -20V, 26.6A, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:26.6A, On Resistance Rds(on):0.0051ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
2000

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D# 30AC0164

Vishay Intertechnologies

P CHANNEL MOSFET, -20V, 26.6A, FULL REEL, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:26.6A, On Resistance Rds(on):0.0051ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Threshold Voltage Vgs:1.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
0
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D# NS-SI4477DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

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4528
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3744
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MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8

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D# 53452698

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MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

22301
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D# 1852575

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MOSFET,P CH,20V,26.6A,8-SOIC

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