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SI2312BDS-T1-GE3

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SI2312BDS-T1-GE3

참조 용으로 만 사용

부품 번호 SI2312BDS-T1-GE3
제조업체 Vishay Siliconix
설명 MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
데이터시트
패키지 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
재고 1,403,964 piece(s)
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SI2312BDS-T1-GE3사양

제조업체Vishay Siliconix
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
계열TrenchFET?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id850mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
Vgs (최대)±8V
FET 기능-
전력 발산 (최대)750mW (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs31 mOhm @ 5A, 4.5V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2312BDS-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI2312BDS-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2312BDS-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI2312BDS-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI2312BDS-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI2312BDS-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI2312BDS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2312BDS-T1-GE3?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI2312BDS-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI2312BDS-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI2312BDS-T1-GE3관련 제품

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D# V72:2272_09216793

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
0
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2312BDS-T1-GE3

D# SI2312BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2312BDS-T1-GE3)

0
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2312BDS-T1-GE3

D# SI2312BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2312BDS-T1-GE3)

0
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2312BDS-T1-GE3

D# SI2312BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2312BDS-T1-GE3)

0
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2312BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

998
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2312BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 20 V 0.031 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3

6000
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SI2312BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

N-Channel 20V 3.9A 850mV @ 250uA 31mohms @ 5A,4.5V 750mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS

9406
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2312BDST1GE3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

RoHS: Compliant
0
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2312BDS-T1-GE3

D# SI2312BDS-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

55731
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2312BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 20 V 0.031 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
13490
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2312BDST1GE3

VISHAY SILICONIX

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

107100
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2312BDS-T1-GE3

D# C10490

Vishay Intertechnologies

9406
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2312BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

500000
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2312BDS-T1-GE3

D# 781-SI2312BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V

RoHS: Compliant
7976
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2312BDS-T1-GE3

D# XSFP00000063435

Vishay Siliconix

Single N-Channel 20 V 0.031 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3

93805
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2312BDS-T1-GE3

D# 16P3709

Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 20V, 5A, TO-236, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:3.9A, On Resistance Rds(on):0.025ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, MSL:-RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
0

SI2312BDS-T1-GE3.

D# 16AC0252

Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:3.9A, On Resistance Rds(on):0.025ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:850mV, MSL:- RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
0
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2312BDS-T1-GE3

D# NS-SI2312BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

24087

SI2312BDS-T1-GE3-LF

D# NS-SI2312BDS-T1-GE3-LF

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

1591
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SI2312BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

1837
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2312BDST1GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

54016
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Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

499985
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SI2312BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V

pbFree: Pb-Free
0
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Coilcraft Inc

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9551
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SI2312BDS-T1-GE3

D# 50959424

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
0
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Vishay Huntington

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

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