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SI1012X-T1-GE3

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SI1012X-T1-GE3

참조 용으로 만 사용

부품 번호 SI1012X-T1-GE3
제조업체 Vishay Siliconix
설명 MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
데이터시트

SI1012X-T1-GE3 데이터시트

패키지 SC-89, SOT-490
재고 상태 256,702 piece(s)
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SI1012X-T1-GE3사양

제조업체Vishay Siliconix
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지SC-89, SOT-490
계열TrenchFET?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id900mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
Vgs (최대)±6V
FET 기능-
전력 발산 (최대)250mW (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs700 mOhm @ 600mA, 4.5V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지SC-89-3
패키지 / 케이스SC-89, SOT-490

SI1012X-T1-GE3는 데이터 시트

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