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RN1309(TE85L,F)

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부품 번호 RN1309(TE85L,F)
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
설명 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
데이터시트
패키지 SC-70, SOT-323
ECAD
재고 5,920 piece(s)
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RN1309(TE85L,F)사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드
패키지SC-70, SOT-323
ECAD
계열-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)22k
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대)500nA
빈도 - 전환250MHz
전력 - 최대100mW
실장 형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급 업체 장치 패키지USM

RN1309(TE85L,F) Packaging

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Sealing
Packing
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RN1309(TE85L,F) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RN1309(TE85L,F) is from the original manufacturer or authorized agents?
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Toshiba America Electronic Components

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R - Tape and Reel (Alt: RN1309(TE85L,F))

RoHS: Compliant
0
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1002
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RoHS (ship within 1day) - D/C 2011

1450
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D# RN1309(TE85LF)CT-ND

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TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM

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