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PSMN9R0-30LL,115

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참조 용으로 만 사용

부품 번호 PSMN9R0-30LL,115
제조업체 NXP
설명 MOSFET N-CH 30V QFN3333
데이터시트
패키지 8-VDFN Exposed Pad
ECAD
재고 6,576 piece(s)
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PSMN9R0-30LL,115사양

제조업체NXP
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지8-VDFN Exposed Pad
ECAD
계열-
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.15V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs20.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1193pF @ 15V
Vgs (최대)±20V
FET 기능-
전력 발산 (최대)50W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs9 mOhm @ 5A, 10V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지8-DFN3333 (3.3x3.3)
패키지 / 케이스8-VDFN Exposed Pad

PSMN9R0-30LL,115 Packaging

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Packing
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PSMN9R0-30LL,115 FAQ

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D# 568-5597-2-ND

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN

0
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NXP SEMICONDUCTOR

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