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NTD23N03RT4G

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부품 번호 NTD23N03RT4G
제조업체 ON Semiconductor
설명 MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
데이터시트 NTD23N03RT4G 데이터시트
패키지 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 상태 69,682 piece(s)
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NTD23N03RT4G사양

제조업체ON Semiconductor
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
데이터시트 NTD23N03RT4G데이터시트
패키지TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
계열-
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)25V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs3.76nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds225pF @ 20V
Vgs (최대)��20V
FET 기능-
전력 발산 (최대)1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs45 mOhm @ 6A, 10V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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