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IRF1010ZPBF

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부품 번호 IRF1010ZPBF
제조업체 Infineon Technologies
설명 MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
데이터시트

IRF1010ZPBF 데이터시트

패키지 TO-220-3
재고 상태 18,114 piece(s)
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IRF1010ZPBF사양

제조업체Infineon Technologies
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-220-3
계열HEXFET?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)55V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs95nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2840pF @ 25V
Vgs (최대)±20V
FET 기능-
전력 발산 (최대)140W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.5 mOhm @ 75A, 10V
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형Through Hole
공급 업체 장치 패키지TO-220AB
패키지 / 케이스TO-220-3

IRF1010ZPBF는 데이터 시트

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