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IPB80N06S4L07ATMA1

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IPB80N06S4L07ATMA1

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부품 번호 IPB80N06S4L07ATMA1
제조업체 Infineon Technologies
설명 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
데이터시트

IPB80N06S4L07ATMA1 데이터시트

패키지 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
재고 2,208 piece(s)
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IPB80N06S4L07ATMA1사양

제조업체Infineon Technologies
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
계열OptiMOS?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 40µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs75nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5680pF @ 25V
Vgs (최대)±16V
FET 기능-
전력 발산 (최대)79W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.4 mOhm @ 80A, 10V
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB80N06S4L07ATMA1는 데이터 시트

IPB80N06S4L07ATMA1 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB80N06S4L07ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPB80N06S4L07ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB80N06S4L07ATMA1?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB80N06S4L07ATMA1.
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    (1)Inform us within 90 days
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