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IPB042N10N3GE8187ATMA1

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IPB042N10N3GE8187ATMA1

참조 용으로 만 사용

부품 번호 IPB042N10N3GE8187ATMA1
제조업체 Infineon Technologies
설명 MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
데이터시트

IPB042N10N3GE8187ATMA1 데이터시트

패키지 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
재고 2,944 piece(s)
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IPB042N10N3GE8187ATMA1사양

제조업체Infineon Technologies
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
계열OptiMOS?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 150µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs117nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds8410pF @ 50V
Vgs (최대)±20V
FET 기능-
전력 발산 (최대)214W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.2 mOhm @ 50A, 10V
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지PG-TO263-3
패키지 / 케이스TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB042N10N3GE8187ATMA1는 데이터 시트

IPB042N10N3GE8187ATMA1 Packaging

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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB042N10N3GE8187ATMA1.
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    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
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D# V36:1790_06378068

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

0
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D# IPB042N10N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB042N10N3GE8187ATMA1)

RoHS: Compliant
0
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