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GT8G133(TE12L,Q)

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GT8G133(TE12L,Q)

참조 용으로 만 사용

부품 번호 GT8G133(TE12L,Q)
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
설명 IGBT 400V 600MW 8TSSOP
데이터시트

GT8G133(TE12L,Q) 데이터시트

패키지 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
재고 2,100 piece(s)
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GT8G133(TE12L,Q)사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - IGBT - 단일
패키지8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
계열-
IGBT 형-
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)400V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)-
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)150A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic2.9V @ 4V, 150A
전력 - 최대600mW
스위칭 에너지-
입력 유형Standard
게이트 차지-
Td (온 / 오프) @ 25 ° C1.7µs/2µs
시험 조건-
역 회복 시간 (trr)-
작동 온도150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급 업체 장치 패키지8-TSSOP

GT8G133(TE12L,Q)는 데이터 시트

GT8G133(TE12L,Q) Packaging

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Sealing
Packing
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GT8G133(TE12L,Q) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GT8G133(TE12L,Q) is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the GT8G133(TE12L,Q) price and inventory displayed accurate?
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부품 번호 제조업체 설명 재고

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Toshiba America Electronic Components

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