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BUK9E2R3-40E,127

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BUK9E2R3-40E,127

참조 용으로 만 사용

부품 번호 BUK9E2R3-40E,127
제조업체 NXP
설명 MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
데이터시트
패키지 TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
재고 2,672 piece(s)
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BUK9E2R3-40E,127사양

제조업체NXP
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
계열TrenchMOS?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs87.8nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13160pF @ 25V
Vgs (최대)±10V
FET 기능-
전력 발산 (최대)293W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.2 mOhm @ 25A, 10V
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형Through Hole
공급 업체 장치 패키지I2PAK
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

BUK9E2R3-40E,127 Packaging

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Packing
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BUK9E2R3-40E,127 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK9E2R3-40E,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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NXP Semiconductors

MOS Power Transistors LV (< 200V) - Bulk (Alt: BUK9E2R3-40E,127)

RoHS: Compliant
0
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D# 2156-BUK9E2R3-40E127-NX-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

300
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Rochester Electronics LLC

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NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK9E2R3-40E - Power Field-Effect Transistor, I2PAK

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