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BUK653R7-30C,127

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BUK653R7-30C,127

참조 용으로 만 사용

부품 번호 BUK653R7-30C,127
제조업체 NXP
설명 MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
데이터시트
패키지 TO-220-3
ECAD
재고 3,312 piece(s)
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BUK653R7-30C,127사양

제조업체NXP
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-220-3
ECAD
계열TrenchMOS?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.8V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs78nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4707pF @ 25V
Vgs (최대)±16V
FET 기능-
전력 발산 (최대)158W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.9 mOhm @ 25A, 10V
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형Through Hole
공급 업체 장치 패키지TO-220AB
패키지 / 케이스TO-220-3

BUK653R7-30C,127 Packaging

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Sealing
Packing
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BUK653R7-30C,127 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK653R7-30C,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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D# 2156-BUK653R7-30C127-ND

Rochester Electronics LLC

PFET, 100A I(D), 30V, 0.0072OHM,

5180
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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5957
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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

5185
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NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK653R7-30C - 100A, 30V, 0.0062ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

RoHS: Compliant
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NXP Semiconductors

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