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BSS119L6327HTSA1

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참조 용으로 만 사용

부품 번호 BSS119L6327HTSA1
제조업체 Infineon Technologies
설명 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
데이터시트

BSS119L6327HTSA1 데이터시트

패키지 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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BSS119L6327HTSA1사양

제조업체Infineon Technologies
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
계열SIPMOS?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.3V @ 50µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs2.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds78pF @ 25V
Vgs (최대)±20V
FET 기능-
전력 발산 (최대)360mW (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs6 Ohm @ 170mA, 10V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지PG-SOT23-3
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BSS119L6327HTSA1는 데이터 시트

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