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BSP129E6327

BSP129E6327

BSP129E6327

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부품 번호 BSP129E6327
제조업체 Infineon Technologies
설명 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
데이터시트

BSP129E6327 데이터시트

패키지 TO-261-4, TO-261AA
ECAD
재고 3,792 piece(s)
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BSP129E6327사양

제조업체Infineon Technologies
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-261-4, TO-261AA
ECAD
계열SIPMOS?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)240V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)350mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)0V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 108µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs5.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds108pF @ 25V
Vgs (최대)±20V
FET 기능Depletion Mode
전력 발산 (최대)1.8W (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs6 Ohm @ 350mA, 10V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지PG-SOT223-4
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA

BSP129E6327는 데이터 시트

BSP129E6327 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

BSP129E6327 FAQ

  • 1. How to order BSP129E6327 on Heisener?
    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that BSP129E6327 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSP129E6327. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSP129E6327 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSP129E6327 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSP129E6327 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of BSP129E6327 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
    Wire Transfer, PayPal, Alipay, Wechat, Credit Card, Western Union, MoneyGram, and Escrow are all acceptable.
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  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of BSP129E6327?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSP129E6327 we delivered, we will accept the replacement or return of the BSP129E6327 only when all of the below conditions are fulfilled:
    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSP129E6327.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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부품 번호 제조업체 설명 재고

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Infineon Technologies AG

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MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

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MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

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부품 번호 제조업체 설명 재고

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Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 240V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Not Compliant
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BSP129E6327T

D# BSP129XTINTR-ND

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MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4

0

BSP129E6327

D# BSP129INTR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4

0
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BSP129 E6327

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INFI

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

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Infineon Technologies AG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.2A I(D), 240V, 20OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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