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2SA1930(LBS2MATQ,M

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부품 번호 2SA1930(LBS2MATQ,M
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
설명 TRANS PNP 2A 180V TO220-3
데이터시트

2SA1930(LBS2MATQ,M 데이터시트

패키지 TO-220-3 Full Pack
ECAD
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2SA1930(LBS2MATQ,M사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
패키지TO-220-3 Full Pack
ECAD
계열-
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)2A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)180V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic1V @ 100mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단 (최대)5µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 5V
전력 - 최대2W
빈도 - 전환200MHz
작동 온도150°C (TJ)
실장 형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급 업체 장치 패키지TO-220NIS

2SA1930(LBS2MATQ,M는 데이터 시트

2SA1930(LBS2MATQ,M Packaging

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Packing
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D# 2SA1930(LBS2MATQM-ND

Toshiba America Electronic Components

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